| Sprog : |
|
| Encyclopedia samfund |Encyclopedia Svar |Indsend spørgsmål |Ordforråd Viden |Upload viden |
Monokrystallinsk |
  |
|
Enkelt krystal silicium. Komplet med grundlæggende krystalgitterstrukturen. Forskellige retninger med forskellige egenskaber, en god halvleder materiale. Renhed på 99,9999%, endnu mere end 99,9999999%. Til fremstilling af halvledere og solceller. Høj renhed polysilicium monokrystallinske trukket fra ovnen. Grundkoncept Kinesisk alias: énkrystalsilicium Engelske navn: monokrystallinske siliciumFormel: Si Vægt: 28,086 CAS-nr: 7440 -21-3 Monokrystallinske silicium er en forholdsvis livlig nonmetallic element, er en vigtig bestanddel af krystallinske materialer, på forkant med udviklingen af nye materialer. Dets vigtigste anvendelse er som en halvleder materiale og brug af solceller elproduktion, opvarmning [1], og så videre. Da solenergi er ren, miljøvenlig, praktisk og mange andre fordele, de sidste tre årtier har solenergi teknologi, forskning og udvikling, kommerciel produktion, udvikling markedet vundet en hurtig udvikling og blive en af de nye industrier i verden hurtig og stabil udvikling. Intro Overalt i vores liv, "silicium" figur og rolle krystallinsk silicium solceller dannes næsten 15 års industrialisering hurtigste. Monokrystallinske, engelsk, Monocrystallinesilicon. Er en enkelt krystal silicium. Komplet med grundlæggende krystalgitterstrukturen. Forskellige retninger med forskellige egenskaber, en god halvleder materiale. Renhed på 99,9999%, endnu mere end 99,9999999%. Til fremstilling af halvledere og solceller. Høj renhed polysilicium monokrystallinske trukket fra ovnen. Anvendelse: monokrystallinske diamant gitter med krystal hårdt og skørt, med en metallisk glans, kan være ledende, men mindre end ledningsevnen af metal og med stigende temperatur, med halvleder egenskaber. Monokrystallinske halvledermateriale er vigtig. Indarbejdes i den første enkelt krystal silicium ЩA sporstoffer, til dannelse af en P-type halvleder, inkorporering af små mængder af gruppe VA element til dannelse af en N-type, N-type og P-type halvledere sammen, kan være fremstillet af solcellen, den strålingsenergi til elektrisk energi. Fremstilling af en halvleder enhed er en silicium monokrystallinske materialer, der anvendes i at gøre magt ensrettere, power transistorer, dioder, der skifter enheder og lignende. Med hensyn til udvikling af energi er en meget lovende materiale. Monokrystallinske forskellige krystal vækst metoder, opdelt i Czochralski (CZ), zone smeltende metode (FZ) og epitaxy. Czochralski metoden, zone smeltning væksten af monokrystallinske siliciumstænger, epitaksialt enkelt krystal silicium film. Monokrystallinsk Czochralski hovedsageligt dyrkes til halvleder, integrerede kredsløb, dioder, wafersubstrat solceller. Udvikling status Monokrystallinske byggeprojekter har et stort marked og bred plads til udvikling. Indhold i skorpen op til 25,8% af silicium, énkrystalsilicium produktion giver en uudtømmelig kilde. Forskellige krystal materialer, især i de højteknologiske værdiskabende materialer til udvikling af enkelt-krystal silicium på vegne af dens relaterede high-tech industrien er blevet en grundpille i moderne informationsteknologi industrien og til den økonomiske udvikling i de oplysninger industrien som verdens førende inden for hurtigst voksende industrier. Monokrystallinske silicium som en meget potentiel uudnyttet ressource udnyttelse af high-tech, forårsager mere og mere bekymring og opmærksomhed. Samtidig, i betragtning af den begrænsede stigning i miljøbelastning og konventionel energiforsyning, mange lande er væk fra udvikling og udnyttelse af solenergi boom lande til at udvikle sig og blive en vigtig del af strategien for bæredygtig udvikling. På tærsklen til det 21. århundrede, de fleste lande i verden til at deltage selv modregne en verdensomspændende udvikling og udnyttelse af solenergi, "grøn energi hot", en bred skala anvendelse af solenergi æra kommer, sol silicium-produkter vil derfor være underlagt den verdens opmærksomhed. I øjeblikket lande har udviklet solceller system solenergi terminal, el produceret til nettet, med elnettet. Semiconductor Amorf silicium er en direkte band halvledere, dens interne struktur der er mange såkaldte "hængende bonds", der er nej, og de omgivende siliciumatomer bonding elektroner, kan elektronerne i det elektriske felt generere elektricitet, ikke fononer brug for hjælp, kan du gøre det amorf silicium tynd, og fordelene ved produktion med lave omkostninger. Fysiske egenskaber Silicium er den mest udbredte på jorden oplagring af materialer, fra det 19. århundrede, videnskabsmænd opdagede krystallinsk silicium halvleder egenskaber, er det næsten ændret alt, selv den menneskelige tænkning. Indtil begyndelsen af 1960'erne, ville silicium germanium materiale erstatte det oprindelige materiale. Silicon materiale - på grund af sin høje temperatur og stråling bedre ydeevne, specielt egnet til produktion af high-power enheder bliver de mest anvendte funktioner i et halvledermateriale, en halvleder integreret kredsløb enhed er for det meste silicium materiale. Diamond gitter af siliciumatomer er anbragt i en række kerner i smelten under størkning af elementært silicium, hvis disse kerner vokse i den samme krystal orienteringen af krystalkorn disse kerner har parallelle kombination monokrystallinske krystal. Énkrystalsilicium metalloid har fysiske egenskaber, har en svag elektrisk ledningsevne, ledningsevne stiger el med stigende temperatur, en betydelig halvledende. Ultra-rent enkelt-krystal silicium iboende halvleder. Inkorporering af små mængder af ultrarent Ⅲ En enkelt krystal silicium elementer, såsom bor kan forbedre graden af ledningsevne, og en p-type silicium halvleder; såsom indarbejdelse Ⅴ A sporstoffer såsom fosfor eller arsen, kan også forbedre graden af elektrisk ledningsevne, dannelse af en n-type silicium halvleder. Hovedformålet Hovedsagelig til fremstilling af enkelt krystal silicium halvleder elementer. Formål: til fremstilling af en halvleder enhed af silicium råmateriale, der anvendes til at gøre høj effekt ensrettere, power transistorer, dioder, der skifter enheder osv. Diamond gitter af siliciumatomer er anbragt i en række kerner i smelten under størkning af elementært silicium, hvis disse kerner vokse i den samme krystal orienteringen af krystalkorn disse kerner har parallelle kombination monokrystallinske krystal. Énkrystalsilicium fabrikation metode er normalt den første til at opnå polysilicium eller amorf silicium, og derefter bruge Czochralski eller flydende zone smeltende metode énkrystalsilicium stang vokset fra smelten. |
| Bruger Anmeldelse |
|
Ingen kommentarer endnu |
